Przełomową pamięć SRAM firma IBM opracowała wraz ze swoimi partnerami tzn. firmami AMD, Freescale, STMicroelectronics, Toshiba oraz uczelnią College of Nanoscale Science and Engineering (CNSE).

Aby nowy układ powstał, konieczne było nie tylko zmniejszenie najmniejszych elementów pamięci SRAM, ale również zoptymalizowanie jej projektu i opracowanie kilku nowych procesów produkcyjnych. Powstał układ, w którym każda komórka pamięci SRAM ma sześć tranzystorów rozmieszczonych na obszarze 0,1 µm².

Opracowanie tego typu układu w technologii 22 nm to nawet nie jeden, ale nawet dwa kroki dalej w dziedzinie miniaturyzacji. Obecnie przy produkcji niektórych procesorów dostępnych na rynku stosowana jest technologia 45 nm. Za technologie kolejnej generacji należy uznać 32 nm – tę barierę IBM przekroczył rok temu.

Oczywiście pokonanie każdego z tych etapów pozwala na zwiększenie liczby tranzystorów, które można upakować w jednym układzie. To z kolei pozwala na tworzenie małych i wydajnych urządzeń.

Pamięci SRAM są obecnie stosowane w procesorach jako pamięć podręczna. Przedstawiciele IBM mówią, że wraz z rosnącą liczbą rdzeni w procesorze, wzrasta zapotrzebowanie na pamięć wewnątrz CPU. Opracowana technologia jest więc niezbędna do dalszego rozwoju. Stworzona przez IBM pamięć SRAM jest zwiastunem nowej generacji procesorów, które powinny pojawić się w 2011 roku.

Pamięć nowej generacji została stworzona w laboratorium CNSE, gdzie IBM przeprowadza wiele swoich badań. Szczegóły dotyczące nowego procesu produkcji zostaną zaprezentowane w czasie imprezy IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), która odbędzie się w dniach 15-17 grudnia w San Francisco.