- Obserwujemy mocny wzrost zapotrzebowania na pamięć DDR3 i wychodzimy mu naprzeciw, wprowadzając do sprzedaży 30 nm pamięci Green DDR3 - powiedział Soo-In Cho, prezes Memory Division, Semiconductor Business w Samsung Electronics. - 30 nm pamięci DDR3 zapewnią najlepszą możliwą wydajność, przy jednoczesnej redukcji zapotrzebowania na energię, w wykorzystujących wielordzeniowe procesory komputerach klasy PC i serwerach.

>> Czytaj też: Nowa pamięć IBM zrewolucjonizuje rynek?

Układy Green DDR3 w serwerach osiągają przepustowość wynoszącą 1,866 Gb na sekundę przy zasilaniu 1,35 V, a w komputerach klasy PC - nawet 2,133 Gb na sekundę (zasilanie 1,5 V). To ponad trzykrotnie szybciej niż w przypadku modułów pamięci DDR2 i półtora razy szybciej niż w przypadku układów DDR3 wykonanych w technologii 50 nm.

Nowe pamięci Samsunga będą gotowe do wykorzystania w serwerach zoptymalizowanych pod kątem wirtualizacji i cloud computingu. Mają one wówczas zużywać ok. 20 procent mniej energii niż w przypadku zastosowania pamięci wykonanych w 50 nm procesie produkcji.

fot. - Samsung: 30nm 2Gb DDR3

>> Czytaj też: Samsung Electronics zyskuje w II kwartale 2010

Samsung wkrótce poszerzy swoją ofertę o 30 nm pamięci RDIMM przeznaczone do serwerów (wersje 4 GB, 8 GB, 16 GB i 32 GB), pamięci UDIMM przeznaczone do stacji roboczych i komputerów klasy PC (2 GB, 4 GB i 8 GB) oraz pamięci SoDIMM przeznaczone do notebooków i komputerów typu all-in-one (2 GB, 4 GB i 8 GB). Pod koniec roku firma planuje również produkcję 4Gb kości pamięci DDR3, wykonanych w 30 nm procesie technologicznym.